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Implant PR & Straggle 计算器

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11 9 月, 20199 8 月, 2022 QingQi, Zeng

Implant PR 计算表

Substrate:  Si
  Amorphous Si
  SiO2
  Si3N4
Dopant:  Arsenic
  Boron
  Phosphorus
Ion Energy: [keV] (0-200)

Projected Range: [um]
Projected Straggle: [um]

Boron in SiC下载
TagsCalculatorimplantPRrange计算器

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