implant的dose和Rs的关系

  1. implant的dose只是对单位面积上的浓度进行阐述，而不是单位体积的密度，从其单位上看就能知道 atom/cm2 (平方厘米）所描述的每平方厘米面积上掺杂原子的多少， 比如3.4E15 atom/cm2 ，其指的是如果在一片8寸的wafer上，总共掺杂3.14*10cm*10cm*3.4E15 atom/cm2=1.07E18 atom在wafer里面
  2. 而Rs即sheet resist，又称作方块电阻。之所以叫方块电阻，是因为在研究电流流经导电薄膜时沿着电流方向，流动经过一段距离（薄膜的长度L），横截面的厚度（薄膜的t厚度），以及薄膜的宽度（截面延展方向w）是重点，但是如果让L=W（即鸟瞰为正方形的导体形状），那么此区域的电阻就不受电流方向影响，只受Rs和t的影响，从而可以简单的描述电阻R:
  3. 对于已知的implantation，我们至少知道它的轰击能量Energy (Kev)，被轰击wafer的本征浓度N0或者预掺杂浓度Nx，植入原子的种类和数量Q或dose(atom/cm2)；那么我就根据Energy计算出植入深度PR(Project Range)，PN结的深度Xj，峰值浓度Np（N of Peak)；对于高斯分布的植入原子来说，根据能量和原子种类，我们查表或者查图可得到PR和straggle（Delta Rp）
  4. 有了这些数据， 我们就能对结深范围以内高斯分布的掺杂进行定积分，即从Xj (um)到0 (um)定积分（请直接查看高斯分布的定积分），u(X)表示对应X位置的载流子浓度,假设所有掺杂原子都100%成为载流子,以对P type(pre-dope boron)为例子，向其中implant N 型杂质C(x)>>C(B)…………………………. ….
  5. 例题参考：
    1. 求峰值Np或者写成Cp：对于根号下的两倍圆周率，我们取值近似为2.5；而implant的dose除以2.5，就是0.4E13
    2. 求结深
    3. 掺杂浓度远远高于wafer的本征浓度，也远远高于预先B掺杂浓度，所以近似地。直接利用implant的浓度近似计算
    5. 以上相关的计算excel脚本
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